eV/K. Dans un semi-conducteur intrinsèque, la concentration de porteurs libres est donnée par la relation suivante : n = p = = A. et que la hauteur de la bande interdite vaut 1,12 eV, déterminer la valeur de A.
Ainsi, il sera utile de rappeler que la concentration d'électrons libres ? pour un semi-conducteur de type p est donnée par ? est égal à ? indice ? au carré divisé par ? indice A-, où ? indice A- est la concentration des ions accepteurs négatifs.
Un semi-conducteur extrinsèque est un semi-conducteur intrinsèque dopé par des impuretés spécifiques lui conférant des propriétés électriques adaptées aux applications électroniques (diodes, transistors, etc...) et optoélectroniques (émetteurs et récepteurs de lumière, etc...).
2) La conductivité σ d'un semi-conducteur est donnée par : σ = nµne + pµpe où n (p) et µn (µp) sont respectivement la concentration et la mobilité des électrons (des trous) en bande de conduction (de valence).
Dans les métaux, le niveau de Fermi se situe dans la bande de conduction hypothétique donnant naissance à des électrons de conduction libres. Dans les semi-conducteurs, la position du niveau de Fermi est dans la bande interdite, approximativement au milieu de la bande interdite.
Les principaux semi-conducteurs sont le germanium (Ge), le silicium (Si), le sélénium (Se), les composés binaires : arséniure de gallium (GaAs), antimoniure d'indium (InSb), phosphure de gallium (GaP) et phosphure d'indium, ainsi que les composés ternaires et quaternaires.
Une jonction PN est la mise en contact entre un semi-conducteur type N et un semi-conducteur type P issus d'un même cristal. La différence des densités de donneurs et d'accepteurs ND -NA passe « brusquement» d'une valeur négative pour la région P à une valeur positive pour la région N.
L'énergie qui sépare la bande de valence de la bande de conduction est appelée le « gap » (fossé, interstice en anglais, bande interdite en français). Les électrons de la bande de valence contribuent à la cohésion locale du solide (entre atomes voisins) et sont dans des états localisés.
On appelle jonction P-N la surface de contact entre deux semi-conducteurs dopés différemment, l'un ayant subi un dopage (positif) de type P (avec du bore ou de l'aluminium), l'autre ayant subi un dopage (négatif) de type N (avec du phosphore ou de l'arsenic), l'ensemble constituant une diode, c'est-à-dire un composant ...
Le semi-conducteur est un composé chimique solide, qui peut conduire l'électricité dans certaines conditions mais pas dans d'autres, ce qui en fait un bon moyen de contrôler un courant électrique. En effet, ses propriétés électriques lui permettent à la fois d'être conducteur (comme les métaux) et isolant.
Masse effective : la masse qui « prend en compte » les forces à l'intérieur du cristal (interactions avec autres électrons, impuretés, phonons …) A l'utiliser dans l'expression : Fext = m* a ; c à d la force totale venant de l'extérieur du cristal.
Pour l'instant, retenez que le silicium est un semi-conducteur car il ne laisse passer le courant que si on excite ses électrons de valence. Il faut pour cela une tension électrique dépassant un seuil minimal propre au matériau.
1879 : Effet Hall. Edwin Herbert Hall découvre une différence de potentiel dans le cuivre dans la direction perpendiculaire au courant et au champ magnétique. 1931 : Théorie moderne des semi-conducteurs. Alan Herries Wilson décrit les semi-conducteurs comme isolant à faible bande interdite.
Le numéro atomique (Z) représente, en chimie et en physique, le nombre de protons d'un atome. Ce dernier peut être schématisé, en première approche, par une agglomération compacte (noyau atomique) de protons (p+) et de neutrons (n), autour de laquelle circulent des électrons (e−).
On note la concentration d'une solution C et il est possible de la calculer avec la formule suivante : [ C = frac { n } { V } ] Avec : C la concentration molaire. Cette unité s'exprime en mol.
Vinitial = 1 × 1 ÷ 11.3151 = 0.088 L = 88mL. Il faut donc prélever 88mL de la solution commerciale et compléter de 1000 − 88 = 922mL d'eau distillée afin d'obtenir 1L d'acide de concentration 1 mol. L-1.
Elle s'appelle aussi zone de déplétion.
Les diodes Zener sont fréquemment utilisées pour réguler la tension dans un circuit. Lorsqu'on la connecte en inverse en parallèle avec une source de tension variable, une diode Zener devient conductrice lorsque la tension atteint la tension d'avalanche de la diode. Elle maintient ensuite la tension à cette valeur.
Courant de saturation. Courant obtenu dans une chambre d'ionisation lorsqu'un nouvel accroissement de tension ne produit pratiquement plus d'augmentation de courant (d'apr. Radiogr. 1979).
1) L'énergie du photon est égale au travail de sortie de l'électron . hn = Ws. L'énergie du photon suffit tout juste à expulser l'électron hors du métal. La fréquence du photon est égale à la fréquence de seuil du métal : ns = Ws/h.
Pour être saturé : Ib > Ic/ß Page 2 Le courant de base est multiplié par un coefficient = Ic / ib ou aussi appelé hFE Dans le cas présent le courant dans le moteur est égal à 200 fois le courant de base.
Ce déplacement de charges se fait sous l'action d'une force dont l'origine peut être un champ électrique ou un gradient de concentration de porteurs de charges. Dans le premier cas, le courant est appelé courant de conduction, dans le second il est appelé courant de diffusion.
Pour cela on conecte le + de la pile du côté P et le – de la pile du côté N. En polarisant la jonction PN en direct par une tension V, on baisse la tension interne Vd de la ZCE. Le phénomène de diffusion des porteurs majoritaires peut recommencer et on à création d'un courant électrique.